氧化铝抛光液(CY-L20W)在CMP 硅片的抛光研磨用

氧化铝抛光液(CY-L20W)在CMP（化学机械抛光）硅片的抛光研磨中扮演着重要角色。CMP是半导体硅片表面加工的关键技术之一，尤其在0.35μm及以下制程中，它是不可或缺的平坦化工艺，对后续工艺的良率有重要影响。

CMP工艺结合了机械摩擦和化学腐蚀，其中化学腐蚀的主要耗材就是抛光液，而机械摩擦的主要耗材为抛光垫。氧化铝抛光液作为化学腐蚀的耗材，其主要成分为氧化铝颗粒和表面活性剂，粒径一般在0.5-5微米之间，具有良好的抛光效果和低表面能。

在CMP工艺中，氧化铝抛光液的特点包括：

1.悬浮性好，不易沉淀，使用方便。

2.颗粒分散均匀，不团聚，软硬度适中，有效避免抛光过程中由于颗粒团聚导致的工件表面划伤缺陷。

3.运用抛光过程中的化学新作用，提高抛光速度，改善抛光表面的质量。

4.分散性好、乳液均一，大程度提升抛光速率的同时降低微划伤的概率，可以提高抛光精度。

当氧化铝抛光液(CY-L20W)与机械摩擦的抛光垫共同作用时，可以实现被抛光晶圆表面的高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。这种工艺具有加工成本低、方法简单、良率高等优点，可以同时兼顾全局和局部平坦化。